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NLASB3157MTR2G इंटीग्रेटेड सर्किट चिप, हाई पावर MOSFET आईसी मेमोरी WDFN-6

श्रेणी:
हाई पावर एमओएसएफईटी
भुगतान विधि:
एल/सी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम, पैनप्लाई
विनिर्देश
उत्पादक:
पर
Product Model:
NLASB3157MTR2G
पैकेज / बॉक्स:
डब्ल्यूडीएफएन-6
उद्गम देश:
मूल वास्तविक, एकदम नया, अप्रयुक्त
शिपिंग द्वारा:
डीएचएल 'यूपीएस' फेडेक्स 'ईएमएस' एचके पोस्ट, डीएचएल, यूपीएस, टीएनटी, टीएनटी या ईएमएस
अधिक जानकारी:
संपर्क करें
प्रमुखता देना:

WDFN-6 इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

,

NLASB3157MTR2G हाई पावर MOSFET

परिचय

एनएलएएसबी3157एमटीआर2जीचिप घटक इलेक्ट्रॉनिक अवयव आईसी चिप्स'

 

NLASB3157MTR2G हाई पावर MOSFET इलेक्ट्रॉनिक चिप एकदम नया मूल WDFN-6

 

 

1 सर्किट आईसी स्विच 2:1 7 ओहम 6-डब्ल्यूडीएफएन (1.2x1)

वर्ग एकीकृत सर्किट (आईसी)
एमएफआर एनालॉग डिवाइस इंक।
शृंखला एनएलएएसबी3157एमटीआर2जी
संदर्भ प्रकार शृंखला
उत्पादन का प्रकार हल किया गया
वोल्टेज - आउटपुट (न्यूनतम / निश्चित) 10 वी
मौजूदा उत्पादन 10 एमए
सहनशीलता ± 0.05%
तापमान गुणांक 3 पीपीएम / डिग्री सेल्सियस
नॉइज़ - 0.1Hz से 10Hz 50µवीपी-पी
नॉइज़ - 10Hz से 10kHz -
वोल्टेज - इनपुट ±13V ~ 18V
वर्तमान पीढ़ी 14mA
परिचालन तापमान -55 डिग्री सेल्सियस ~ 125 डिग्री सेल्सियस
माउन्टिंग का प्रकार छेद के माध्यम से
पैकेज / मामला 14-सीडीआईपी (0.300", 7.62 मिमी)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज 14-सीईआरडीआईपी
आधार उत्पाद संख्या एनएलएएसबी3157एमटीआर2जी

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण:

गुण विवरण
आरओएचएस स्थिति ROHS3 अनुपालन
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) 3 (168 घंटे)
पहुंच स्थिति पहुंच अप्रभावित
ईसीसीएन EAR99
HTSUS 8542.39.0001

 

 

 

 

शेन्ज़ेन Xinshengyuan इलेक्ट्रॉनिक प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड

 

कंपनी सेवा

 

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टिप्पणी :


1. आईसी, डायोड और ट्रायोड के मॉडल के लिए, उद्धरण प्रारूप है: पूरा मॉडल + पैकेज + मात्रा।


2. संधारित्र और प्रतिरोधक को मात्रा (आकार) और पैकेज के बारे में सूचित करने की आवश्यकता है, कृपया पूर्ण मॉडल और विनिर्देश प्रदान करें, ताकि हम अधिक तेज़ी से और आसानी से उद्धृत कर सकें।


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NLASB3157MTR2G इंटीग्रेटेड सर्किट चिप, हाई पावर MOSFET आईसी मेमोरी WDFN-6

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